Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/1942/41378
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | GENOE, Jan | |
dc.contributor.advisor | CUPPENS, Tim | |
dc.contributor.author | Sleypen, Tom | |
dc.date.accessioned | 2023-09-21T07:52:18Z | - |
dc.date.available | 2023-09-21T07:52:18Z | - |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/1942/41378 | - |
dc.description.abstract | De wereldwijde groei van technologieën vereist snellere en nauwkeurigere elektronische producten en diensten. Hoe sneller de producten worden, hoe gevoeliger ze zijn voor storingen. Om deze reden is elektromagnetische compatibiliteit (EMC) een van de grootste uitdagingen. De far-field test in de EMC-kamer is verplicht vooraleer het product kan worden goedgekeurd voor productie. Om het onderzoek te starten, werd een Printed Circuit Board (PCB) ontworpen om deze correlatie te testen met optimale en foutieve ontwerptechnieken. Voorbeelden van foutieve benaderingen zijn: het plaatsen van ontkoppelingscondensatoren verder weg van de bijhorende Integrated Circuit (IC) of het blokkeren van het retourpad van communicatielijnen zoals Inter-Integrated Circuit (I²C). In de EMC-kamer is, per ontwerptechniek, een far-field test uitgevoerd. Dit resultaat is vergeleken met de near-field test op de EMScanner. Hierbij geeft de EMScanner een extra EMC-frequentierespons per specifiek onderdeel op de PCB. De bevindingen van dit onderzoek tonen een correlatie aan tussen far-field en near-field stralingsemissies. Far-field straling geeft een duidelijk stralingsbeeld van de PCB voor zowel de optimale als de foutieve ontwerptechnieken. Near-field straling geeft eveneens een duidelijk stralingsbeeld, maar biedt daarentegen een uitgebreidere lokalisatie van de stralingsbron voor beide ontwerptechnieken en vergemakkelijkt daardoor het debuggingproces. | |
dc.format.mimetype | Application/pdf | |
dc.language | nl | |
dc.publisher | UHasselt | |
dc.title | Correlation between the measured far-field and near-field radiated patterns for specific designs | |
dc.type | Theses and Dissertations | |
local.bibliographicCitation.jcat | T2 | |
dc.description.notes | master in de industriële wetenschappen: elektronica-ICT | |
local.type.specified | Master thesis | |
item.fullcitation | Sleypen, Tom (2023) Correlation between the measured far-field and near-field radiated patterns for specific designs. | - |
item.accessRights | Open Access | - |
item.fulltext | With Fulltext | - |
item.contributor | Sleypen, Tom | - |
Appears in Collections: | Master theses |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
0b62d857-1d61-4ffd-9dac-a4d5a52aa978.pdf | 21.22 MB | Adobe PDF | View/Open | |
b269c220-959c-4d00-afd3-8d0067c17006.pdf | 920.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Google ScholarTM
Check
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.