Kwantificatie van hoofdelementen met behulp van moleculaire ionen in secundaire ionen massaspectrometrie

Abstract

In dit proefschrift, met als ti tel : 'Kwantificatie van hoofdelementen met behulp van moleculaire ionen in Secundaire Ionen Massaspectrometrie ', worden twee technieken voorgesteld en besproken, om de kwantitatieve materiaalkarakterisatie van de Secundaire Ionen Massaspectrometrietechniek (SIMS-techniek) te verbeteren. Het onderzoeksgebied waarbinnen de SIMS-techniek wordt aangewend is vrij breed. De SIMS-techniek is algemeen verspreid binnen de micro-elektronicasector waar kwantitatieve profileringen van zowel onzuiverheids- als doperingselementen uiterst belangrijk zijn. Verder wordt de SIMS-techniek ook meer en meer aangewend in andere sectoren binnen de materiaalwetenschappen waar interfaceverschijnselen een belangrijke rol spelen. De Secundaire Ionen Massa Spectrometrie (SIMS), is een analytische techniek gebaseerd op bet sputterproces. Met behulp van een primaire ionenbundel worden deeltjes van het te onderzoeken monster gesputterd. Deze gesputterde deeltjes zijn atomen of moleculen en komen voor in zowel een neutrale, geëxciteerde als geïoniseerde toestand. Vervolgens worden de geïoniseerde deeltjes gedetecteerd m.b.v. een massaspectrometer. Ten gevolge van de erosie van het monster door bet ionenbombardement, kunnen diepteprofileringen worden opgemeten door de ionenintensiteiten i.f.v. de tijd te registreren.