Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/1942/20159
Title: Interface Properties of Metal-Molecule-Metal Junctions for Electronics Applications
Authors: SAITNER, Marc 
Advisors: BOYEN, Hans-Gerd
WAGNER, Patrick
Issue Date: 2012
Abstract: The
 permanent
 miniaturization
 in
 the
 field
 of
 microelectronics
 requires
 new
 concepts
beside
the
established
Si
based
technology.
The
use
of
single
molecules
 or
organic
thin
layers
as
active
components
in
nano‐scaled
devices
represents
one
 promising
 option.
 In
 this
 thesis,
 metal‐molecule‐metal
 junctions
 with
 Self
Assembled
Monolayers
(SAMs)
as
molecular
building
blocks
were
intensively
 investigated.
 Especially
 the
 metal‐molecule
 interface
 properties
 are
 of
 high
 interest
due
to
their
fundamental
importance
concerning
the
junctions’
transport
 properties. In
 this
 respect,
 the
 phenomenon
 of
 the
 contact
 resistance
 plays
 a
 major
 role.
 Various
 SAMs
 on
 Au(111)
 and
 their
 metallization
 based
 on
 an
 electrochemical
 approach
 to
 build
 up
 metal‐molecule‐metal
 junctions
 were
 characterized
concerning
the
structural
and
chemical
properties.
The
interfaces
of
 the
different
systems
were
investigated
by
photoelectron
spectroscopic
methods
 to
unravel
 the
impact
of
 the
interfacial
chemical
interactions
onto
 the
electronic
 structure
of
the
metal
electrodes. SAMs
of
4‐Mercaptopyridine
and
4‐(4‐Mercaptophenyl)Pyridine
and
their
metalli‐ zation
 with
 closed
 Pd
 overlayers
 were
 in
 the
 focus
 within
 the
 concept
 of
 molecular
families.
It
could
be
demonstrated,
that
the
interactions
at
the
junction
 interfaces,
 resulting
 in
 local
 density
 of
 states
 (LDOS)
 effects
 in
 the
 electronic
 structure
of
the
metal
electrodes,
do
not
solely
depend
on
the
head
and
terminal
 group
of
 the
molecules,
but
also
on
 the
molecular
backbone.
4‐Mercaptophenol
 SAMs
 as
 an
 example
 of
 non‐pyridine
 terminated
 SAMs
 could
 not
 be
metallized,
 most
 probably
 due
 to
 the
 hydroxyl
 type
 terminal
 group.
 Thiazole
 based
 SAMs
 could
 successfully
 be
metallized
with
 Pd,
 resulting
in
a
 stable
junction.
Again,
at the
 interfaces
 of
 the
 junction
 LDOS
 effects
 were
 detected,
 however
 weaker
 pronounced
 compared
 to
 similar
 systems.
 In
 addition,
 thiol‐free
 SAMs
 of
 Dicyanobenzene
 (DCB)
 were in
 the
 focus
 of
 the
 project.
 The
 DCB
 molecules
 arrange
 as
 flat
 lying
 arrangement
 on
 the
 Au
 surface.
 The
 metallization
 with
 Pd
 islands
 on
 top
 was
 carried
 out
 resulting
 in
 a
 junction
 with
 ultrathin
 molecular
 spacing.
Finally
the
concept
was
extended
towards
building
up
multilayer
systems.
 The
molecular
“double‐decker”
could
successfully
be
prepared.
The
Pd
interlayer, spacing
the
molecular
SAMs,
as
well
as
the
Pt
toplayer
exhibit
metallic
properties, opening
the
door
towards
Molecular
Electronics
in
the
3rd
dimension.
Op
 het
 gebied
 van
 de
 micro‐electronica
 is
 er
 een
 voortdurende
 behoefte
 aan
 miniaturisatie
 wat
 onderzoek
 noodzaakt
 naar
 nieuwe
 concepten
 buiten
 de
 traditionele
 silicium
 gebaseerde
 techniek.
 Het
 gebruik
 van
 single
 molecules
 of
 organische
 dunne
 filmlagen
 als
 actieve
 componenten
 in
 nano‐schaal
 apparatuur
 lijken
 veelbelovende
 opties.
 In
 deze
 thesis
 wordt
 het
 gebruik
 van
 metaal‐ molecuul‐metaal
juncties
met
Self
Assembled
Monolayers
(SAMs)
als
moleculaire
 bouwstenen
 onderzocht.
 Hier
 is
 in
 het
 bijzonder
 gefocust
 op
 metaal‐molecuul
 grensvlak
 eigenschappen
 welke
 van
 fundamenteel
 belang
 zijn
 voor
 de
 transporteigenschappen
van
 de
juncties.
Een
 facet
wat
 hier
aan
 bod
komt,
is
 de
 contactweerstand
tussen
de
verschillende
lagen.
 Van
verschillende
SAMs
op
goud
 (Au
(111))
en
hun
metallisatie
gebaseerd
op
de
 elektrochemische
 opbouw
 van
 de
 metaal‐molecuul‐metaal
 juncties
 zijn
 de
 structuur
 en
 chemische
 eigenschappen
 uitvoerig
 gekarakteriseerd.
 De
 grensvlakken
 van
 deze
 systemen
 zijn
 vervolgens
 onderzocht
 met
 foto‐elektron
 spectroscopische
methoden
om
zo
de
impact
van
de
chemische
interacties
op
de
 elektronische
structuur
van
de
metaal
elektroden
te
ontrafelen.
 De
nadruk
is
gelegd
op
structuren
gebaseerd
op
SAMs
van
4‐Mercaptopyridine
en
 4‐Mercaptofenylpyridine
en
hun
metallisatie
met
een
palladium
bedekkende
laag. Het
kon
aangetoond
worden
dat
de
interacties
op
de
grensvlakken
van
de
juncties
 resulteerde
 in
 local
 density
 of
 states
 (LDOS)
 effecten.
 Deze
 effecten
 in
 de
 elektronische
structuur
 van
 de
 metaal
 elektroden
 hangen
 niet
 alleen
 af
 van
 de
 kop
 of
 eindgroep
 van
 de
 moleculen,
 maar
 ook
 van
 hun
 moleculaire
 ketenstructuur.
 4‐Mercaptofenol
 SAMs,
 als
 een
 voorbeeld
 van
 SAMs
 die
 niet
 getermineerd
 zijn
 met
 pyridine,
 kunnen
 niet
 gemetalliseerd
 worden
 wat
 hoogstwaarschijnlijk
 met
 de
 hydroxy
 eindgroep
 te
 maken
 heeft.
 Daarentegen
 kunnen
SAMs
gebaseerd
op
 thiazolen
wel
gemetalliseerd
worden
met
palladium
 tot
 een
 stabiel
 complex.
 Bij
 deze
 complexen
 zijn
 op
 de
 grensvlakken
 van
 de
 juncties
 eveneens
 de
 eerder
 genoemde
 LDOS
 effecten
 waargenomen,
 hoewel
 minder
uitgesproken
dan
bij
soortgelijke
systemen.
Verder
 werd
 er
 gekeken
 naar
 thiol‐vrije
 SAMs
 van
 dicyanobenzeen
 (DCB).
 Deze
 DCB
moleculen
assembleren
zich
 tot
een
vlak
netwerk
op
het
goud
oppervlakte.
 De
metallisatie
met
 palladium
 eilanden
 bovenop
 resulteerde
 in
 een
 junctie
met
 een
ultrakleine
moleculaire
tussenruimte.
 Tot
 besluit
 is
 dit
 concept
 verder
 uitgebreid
 naar
 het
 opbouwen
 van
 multilaag
 systemen,
 zoals
 de
 moleculaire
 “double‐decker”.
 Zowel
 de
 palladium
 grensvlak
 laag,
die
de
moleculaire
SAMs
scheidt,
als
de
platina
toplaag
vertonen
metallische
 eigenschappen.
 Hiermee
 is
 een
 veelbelovende
 stap
 gezet
 in
 de
 richting
 van
 moleculaire
elektronica
in
drie
dimensies
Document URI: http://hdl.handle.net/1942/20159
Category: T1
Type: Theses and Dissertations
Appears in Collections:PhD theses
Research publications

Show full item record

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.